电流检测技术综述
零
分流电阻
欧姆定律
磁效应
法拉第电磁感应定律
结语
图 电感测量原理图
图 无磁芯罗氏线圈原理图
图 测量误差与待测电流位置 关系
图 霍尔电流传感器基本原理图
图 磁通门传感器基本原理
图 巨磁阻传感器结构
罗氏线圈
霍尔电流传感器
TRACE电阻
变压器测量
磁通门电流传感器
巨磁阻传感器
电感直流电阻
B是磁通量密度,r是罗氏环 半径,u零是磁常数,ic是待测电流。
Hall器件是 种采用半导体材料制成 磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流,当有 磁场B穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔电势。通过测量霍尔电势 大小间接测量载流导体电流 大小。因此,电流传感器经过了电－磁－电 绝缘隔离转换。
RogowskiCoil是 种可以直接套在被测量 导体上来测量来往电流 线圈。其实也就是 种特殊类型 互感器,通常用来测量来往高电压和瞬时电流。任何封闭电路中感应电动势 大小,等于穿过这 电路磁通量 变化率,可表示为，
不同方式 测量性能各有优缺点,除了电流变压器和罗氏线圈无法直接测量直流电流之外,产品测量技术都能够测量直流电流；Trace电阻和电感电阻测量电流 技术并未在测量电路直接接入分流电阻,因此对待测量电路 影响相对较小；磁通门是目前测量精度新高 测量技术,且提供电气隔离和低能量损失等 些优点。
众多 老师学者针对TRACE电阻 电流测试性能进行了大量研究,结果表明，金属铜具有典型 热漂移性,因此该测量方式在高精度 应用环境下并不适合。
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基于巨磁阻效应 传感器其感应材料主要有 层，即参考层（ReferenceLayer或PinnedLayer）,普通层（NormalLayer）和自由层（FreeLayer）。GMR传感器基于巨磁电阻效应,即在外磁场 作用下传感器电阻会发生 变化。当磁场正向为零时,磁阻材料 电阻新大；在磁场正向或负向增大时,磁阻材料 电阻都减小。从巨磁电阻GMR被发现以来,各应用已处于开发及实用化阶段,其首先在硬盘磁头上成功实现商品化,除直接测量磁场外,在电流、位移、线速度和加速度等物理量 测量也得到应用。
基本磁通门传感器,信号线圈在P端输出 电压信号如下，
如果使用TRACE电阻,则需要高增益放大器来放大电压信号,但放大器 带宽性能 直未能突破 瓶颈。
巨磁阻电流传感器具有广阔 应用前景。其与传统电磁式电流互感器相比,能够测量直流到高频(MHz量级) 电流信号,尤其是它能够测量直流电流,这对于直流输电系统中换流站中直流 监测极为有利。
式中J是电流密度,E是电场强度,v是电荷流动速度,B是作用在电荷上 磁通量密度,狗粮快讯网根据网络获悉,σ为材料 导电性。此时上式又能简化为，J=σE这方式采用电路中导体 自身 TRACE电阻代替分流电阻测量电流也是 种可选购 电流测量技术。
摘要，现如今,电流检测 技术在工业发展 推动下日臻完善。然而并不是传统 方案就不可取,在不同 应用环境下还是有 席用武之地。电流检测之后通常被用来执行测量“多大”电流和当电流“过大”时动作判断 两个基本功能。
标签，电流
检测电阻是新简单 电流测量技术,狗粮快讯网发回 报道,既可用于测量来往电流也可用于测量直流电流。用该技术进行电流测量 新大弊端是向待测回路中接入了电阻,造成了电能消耗（I^ *R）。
由于罗氏线圈 内部没有铁磁材料,线圈不能被驱动到饱和,因而是 种线性器件。Rogowski线圈不仅能校准较低 电流,并且能在电流非常高 情况下使用。这也进 步降低了操作 难度和校准高电流 成本。不过,该方式也有缺点，待测电流不在线圈中心时,以上原理依旧能够正常工作,只是会产生 定 误差。
由安培环路定则,进而能得到罗氏线圈中 磁通量密度与待测电流之间 关系，
由欧姆定律表明,导电体两端 电压与通过导电体 电流成正比。而对于电阻物质,该定律可以衍生为，J=σ（E+v×B）。
电感直流电阻测量电路属于 种无损采样电路。该电路在采样前需要对其进行 调试；目前只适用于对电流进行粗略测量。通常用在开关电源无损电流测量和低压（小于 . V）电流测量场合。
电磁感应现象是指因磁通量变化产生感应电动势 现象,例如,闭合电路 部分导体在磁场里做切割磁感线 运动时,导体中就会产生电流（感应电流）。
相对于罗氏线圈,电流变压器测量新大 优势是输出端电压与待测电流成正比例关系；同时待测量线圈 位置变化对测量精度 影响得到了抑制。测量 输出信号可以无需放大器放大而直接使用模数变换器采样。
磁传感器是把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起敏感元件磁性能变化转换成电信号,以这种方式来检测相应物理量 器件。其被广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中,有许多不同类型 传感器用于测量磁场和产品参数。
磁通门电流传感器具有超高 测量精度和良好 温度稳定性。但是其容易受到激励源带来 外界磁场 干扰。Guillermo等人采用激励绕组差分 形式,从而减小激励源带来 外界磁场 干扰。由于变压器效应,高频激励源会耦合到反馈绕组中对传感器产生噪声干扰。为了降低内外部磁场造成 干扰,传感器可以使用额外 磁芯和额外 线圈。
这种拓扑结构,都存在 定 风险性,低端检测电路易对地线造成干扰；高端检测,狗粮快讯网讯息汇总,电阻与运放 选购要求高。
霍尔效应（Halleffect）是指当固体导体（或者半导体）放置在 个磁场内,且有电流通过时,导体内 电荷载子受到洛伦兹力而偏向 边,继而产生电压（霍尔电压） 现象。式中nq为电荷密度,d为导体 厚度。
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